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文献
J-GLOBAL ID：200902100533581052
整理番号：93A0446856
歪層InGaAs/GaAs量子井戸レーザの利得特性
Gain Characteristics of Strained-Layer InGaAs/GaAs Quantum Well Lasers.
ZHANG G
(Tampere Univ. Technology)
,
PESSA M
(Tampere Univ. Technology)
,
AHN D
(Goldstar Central Research Lab., Seoul)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 176 号： 2 ページ： K75-K79 発行年： 1993年04月01日
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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