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文献
J-GLOBAL ID：200902100589996808
整理番号：96A0844102
リソグラフィー優先設計の6F2型DRAMセル
6F2 Layout DRAM cell with Lithography-Oriented Design.
青木正身
(東芝 マイクロエレクトロニクス技研)
,
尾崎徹
(東芝 マイクロエレクトロニクス技研)
,
山田敬
(東芝 ULSI研)
,
川口谷ひとみ
(東芝 マイクロエレクトロニクス技研)
,
石橋裕
(東芝 マイクロエレクトロニクス技研)
,
浜本毅司
(東芝 マイクロエレクトロニクス技研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 96 号： 226(SDM96 77-89) ページ： 51-55 発行年： 1996年08月23日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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