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文献
J-GLOBAL ID：200902100623759349
整理番号：01A0212524
赤外反射吸収分光法によって調べたSi表面の水素エッチングの初期段階
Initial Stage of Hydrogen Etching of Si Surfaces Investigated by Infrared Reflection Absorption Spectroscopy.
NODA H
(Graduate Univ. Advanced Studies, Okazaki, JPN)
,
URISU T
(Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN)
,
KOBAYASHI Y
(NTT Basic Res. Lab., Atsugishi, JPN)
,
OGINO T
(NTT Basic Res. Lab., Atsugishi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 12B ページ： 6985-6989 発行年： 2000年12月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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