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文献
J-GLOBAL ID：200902100629506868
整理番号：93A0496539
Si(100)上けい化物中の界面欠陥 “芯のない欠陥”,1/12〈111〉転位および双晶機構
Interfacial defects in silicides on Si(100): “Coreless defects,” 1/12〈111〉 dislocations, and twinning mechanisms.
EAGLESHAM D J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
TUNG R T
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
SULLIVAN J P
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
SCHREY F
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 73 号： 8 ページ： 4064-4066 発行年： 1993年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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