文献
J-GLOBAL ID:200902100635961216
整理番号:99A0093149
テトラエトキシシランを用いたSiO2膜におけるプラズマ支援化学気相蒸着の分解過程
Dissociation processes in plasma enhanced chemical vapor deposition of SiO2 films using tetraethoxysilane.
著者 (2件):
OKIMURA K
(Fukui National Coll. Technol., Fukui, JPN)
,
MAEDA N
(Fukui National Coll. Technol., Fukui, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
16
号:
6
ページ:
3157-3163
発行年:
1998年11月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)