文献
J-GLOBAL ID:200902100677087710
整理番号:94A0089292
シリコン中への化学量論組成以下の酸素イオン注入により形成した酸素ドープシリコン埋込層を横切る電気輸送
Electrical transport across oxygen-doped-silicon buried layers by substoichiometric oxygen ion implantation in silicon.
著者 (2件):
SRIKANTH K
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
ASHOK S
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
23
ページ:
3188-3190
発行年:
1993年12月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)