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文献
J-GLOBAL ID：200902100677730842
整理番号：95A0621581
極めて大きい2DEG密度及び移動度を持つ歪対称化InxGa1-xAs/InyAl1-yAs HFET
Strain-symmetrized InxGa1-xAs/InyAl1-yAs HEMTs with extremely high 2DEG densities and mobilities.
KLEIN W
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
BOEHM G
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
HEISS H
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
KRAUS S
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
XU D
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
SEMERAD R
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
TRAENKLE G
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
WEIMANN G
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名：
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号： 141 ページ： 673-678 発行年： 1995年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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