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文献
J-GLOBAL ID：200902100680759088
整理番号：02A0460738
半導体加工の表面科学 縮小を続けるトランジスタにおけるゲート酸化物
The surface science of semiconductor processing: Gate oxides in the ever-shrinking transistor.
WELDON M K
(Bell Lab., Lucent Technol., NJ, USA)
,
QUEENEY K T
(Smith Coll., MA, USA)
,
ENG J JR
(Agere Systems, NJ, USA)
,
RAGHAVACHARI K
(Agere Systems, NJ, USA)
,
CHABAL Y J
(Agere Systems, NJ, USA)
資料名：
Surface Science
(Surface Science)
巻： 500 号： 1/3 ページ： 859-878 発行年： 2002年03月10日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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