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文献
J-GLOBAL ID：200902100705414773
整理番号：00A0624419
GaN薄膜の堆積を最適化するためのサファイア表面の反応性イオンビーム処理の効果
Effects of reactive ion beam treatment of a sapphire surface to optimite the deposition of GaN films.
KIM H-J
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
BYUN D
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KIM G
(Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
KUM D-W
(Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 87 号： 11 ページ： 7940-7945 発行年： 2000年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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