前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902100767435971
整理番号：98A0340780
MOCVD法で成長した高い側部密度を持つ自己組織化欠陥なしのInAs/GaAsとInAs/InGaAs/GaAs量子ドット
Self organized defect free InAs/GaAs and InAs/InGaAs/GaAs quantum dots with high lateral density grown by MOCVD.
HEINRICHSDORFF F
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
KROST A
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
BIMBERG D
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
KOSOGOV A O
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
,
WERNER P
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 123/124 ページ： 725-728 発行年： 1998年01月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。