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文献
J-GLOBAL ID：200902100888572771
整理番号：99A0213479
InP系HBT技術と応用
InP HBT Technology and Applications.
STREIT D C
(TRW, California, USA)
,
COWLES J C
(TRW, California, USA)
,
KOBAYASHI K W
(TRW, California, USA)
,
GUTIERREZ-AITKEN A
(TRW, California, USA)
,
BLOCK T R
(TRW, California, USA)
,
LAMMERT M
(TRW, California, USA)
,
LESLIE G
(TRW, California, USA)
,
DENNING D
(RF Micro Devices, North Carolina)
,
OKI A K
(TRW, California, USA)
資料名：
Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
(Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
巻： 10th ページ： 64-67 発行年： 1998年
JST資料番号： W0731A ISSN： 1092-8669 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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