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文献
J-GLOBAL ID：200902100909726642
整理番号：99A0420042
高い膜密度と平滑性のよいSiO2/Si界面をもつ信頼性の高いSiO2を形成するためのラジカル酸素プロセス
Radical Oxygen(O*) Process for Highly-Reliable SiO2 with Higher Film-Density and Smoother SiO2/Si Interface.
NAGAMINE M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
ITOH H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SATAKE H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TORIUMI A
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998 ページ： 593-596 発行年： 1998年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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