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文献
J-GLOBAL ID：200902101075625513
整理番号：96A0353813
サブクォータミクロンpMOSの構造をもつ埋込みチャネルMOSキャパシタの容量電圧特性
Capacitance-Voltage Characteristics of Buried-Channel MOS Capacitors with a Structure of Subquarter-Micron pMOS.
MIYAKE M
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Atsugi-shi, JPN)
,
OKAZAKI Y
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Atsugi-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E79-C 号： 3 ページ： 430-436 発行年： 1996年03月
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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