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文献
J-GLOBAL ID：200902101319451440
整理番号：95A0654799
多孔質シリコン形成の増強と抑制
Enhancement and suppression of the formation of porous silicon.
DUTTAGUPTA S P
(Univ. Rochester, New York)
,
PENG C
(Univ. Rochester, New York)
,
FAUCHET P M
(Univ. Rochester, New York)
,
KURINEC S K
(Rochester Inst. Technol., New York)
,
BLANTON T N
(Eastman Kodak Co., New York)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 13 号： 3 ページ： 1230-1235 発行年： 1995年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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