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文献
J-GLOBAL ID：200902101508167388
整理番号：01A0271099
MOVPE法によりサファイヤ基板上に成長したGaN層の転位密度を減少させる新しい方法
A new method of reducing dislocation density in GaN layer grown on sapphire substrate by MOVPE.
SAKAI S
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
WANG T
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
MORISHIMA Y
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
NAOI Y
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 221 ページ： 334-337 発行年： 2000年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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