文献
J-GLOBAL ID:200902101545370835
整理番号:99A0205433
水素化によるInGaPダイオードの整流特性の増強
Enhancement of a rectifying characteristic of InGaP diodes by hydrogenation.
著者 (7件):
LEE J Y
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
KWON Y H
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
KIM M D
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
KIM H J
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
KANG T W
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
HONG C Y
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
CHO H Y
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
85
号:
1
ページ:
600-603
発行年:
1999年01月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)