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文献
J-GLOBAL ID：200902101709498234
整理番号：02A0597234
InxGa1-xAsキャッピング層を用いたInAs量子ドット赤外検出器の中間及び長波長二重応答のテーラリング
Tailoring mid- and long-wavelength dual response of InAs quantum-dot infrared photodetectors using InxGa1-xAs capping layers.
KIM E-T
(Univ. Southern California, California)
,
CHEN Z
(Univ. Southern California, California)
,
HO M
(Univ. Southern California, California)
,
MADHUKAR A
(Univ. Southern California, California)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 20 号： 3 ページ： 1188-1191 発行年： 2002年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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