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文献
J-GLOBAL ID：200902101732054211
整理番号：97A0247041
GaN電界放出チップの選択再成長
Selective-area regrowth of GaN field emission tips.
UNDERWOOD R D
(Univ. California, CA, USA)
,
KAPOLNEK D
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER B P
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER S
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA U K
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 41 号： 2 ページ： 243-245 発行年： 1997年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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