文献
J-GLOBAL ID:200902101781160850
整理番号:98A0044229
様々な成長温度でLPMOVPEにより成長させたInxGa1-xN/GaNの特性
Characteristics of InxGa1-xN/GaN grown by LPMOVPE with the variation of growth temperature.
著者 (5件):
LEE C-R
(Korea Res. Inst. Standards and Sci., Taejeon, KOR)
,
SON S-J
(Optel Semiconductor Co., Jeonbuk, KOR)
,
LEE I-H
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
LEEM J-Y
(Korea Res. Inst. Standards and Sci., Taejeon, KOR)
,
NOH S K
(Korea Res. Inst. Standards and Sci., Taejeon, KOR)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
182
号:
1/2
ページ:
6-10
発行年:
1997年12月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)