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文献
J-GLOBAL ID：200902101795548249
整理番号：99A0353231
GaAs基板上に成長させた量子ドット構造による1.3μm波長領域の光及びエレクトロルミネセンス
Photo- and electroluminescence in the 1.3-μm wavelength range from quantum-dot structures grown on GaAs substrates.
ZHUKOV A E
(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
KOVSH A R
(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
EGOROV A YU
(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
MALEEV N A
(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
USTINOV V M
(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
VOLOVIK B V
(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
MAKSIMOV M V
(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
TSATSUL’NIKOV A F
(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
ALFEROV ZH I
(A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 33 号： 2 ページ： 153-156 発行年： 1999年02月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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