文献
J-GLOBAL ID:200902101942959802
整理番号:01A0310689
サブμm金属-酸化物-半導体の電界効果トランジスタにおける既知の1/f周波数依存性を変える付加的ノイズ源の実証
Evidence for an additional noise source modifying conventional 1/f frequency dependence in sub-μm metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
著者 (7件):
UENO H
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
KITAMURA T
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MATSUMOTO S
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
OKAGAKI T
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MIURA-MATTAUSCH M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
ABE H
(Burr-Brown Japan, Ltd., Yokohama, JPN)
,
HAMASAKI T
(Burr-Brown Japan, Ltd., Yokohama, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
78
号:
3
ページ:
380-382
発行年:
2001年01月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)