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文献
J-GLOBAL ID：200902102214715766
整理番号：02A0044593
電界効果素子のゲート金属モルホロジーに対するガス応答依存性
Gas response dependence on gate metal morphology of field-effect devices.
LOEFDAHL M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
UTAIWASIN C
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
CARLSSON A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
LUNDSTROEM I
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
ERIKSSON M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： B80 号： 3 ページ： 183-192 発行年： 2001年12月01日
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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