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文献
J-GLOBAL ID：200902102263621050
整理番号：99A0892673
その場アニールによるSi(001)-2×1上のエピタキシャルSrTiO3膜の電気的性質の改善
Improvement of electrical properties of epitaxial SrTiO3 films on Si(001)-2×1 by in situ annealing.
TAMBO T
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
MAEDA K
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
SHIMIZU A
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
TATSUYAMA C
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 86 号： 6 ページ： 3213-3217 発行年： 1999年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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