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文献
J-GLOBAL ID：200902102286214281
整理番号：01A1010175
MgドープGaN膜のキャリア濃度における微小構造の影響
Influence of microstructure on the carrier concentration of Mg-doped GaN films.
ROMANO L T
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
KNEISSL M
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
NORTHRUP J E
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
VAN DE WALLE C G
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
TREAT D W
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 17 ページ： 2734-2736 発行年： 2001年10月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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