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文献
J-GLOBAL ID：200902102287630599
整理番号：02A0501596
極めて薄いシリコン界面制御層があるInPの新しい酸化物フリーな絶縁化ゲートの最適化と界面特性評価
Indium Phosphide & Related Materials. Optimization and Interface Characterization of a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP Having an Ultrathin Silicon Interface Control Layer.
FU Z
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KASAI S
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASEGAWA H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 2B ページ： 1062-1066 発行年： 2002年02月28日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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