前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902102311457089
整理番号：02A0569589
イオン注入SiCのアニール処理に使用される黒鉛キャップとAlNキャップの比較
A Comparison of Graphite and AIN Caps Used for Annealing Ion-Implanted SiC.
JONES K A
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
DERENGE M A
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
SHAH P B
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
ZHELEVA T S
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
ERVIN M H
(U.S. Army Res. Lab., MD)
,
THOMAS C
(Howard Univ., Washington, D.C.)
,
SPENCER M G
(Howard Univ., Washington, D.C.)
,
HOLLAND O W
(Oak Ridge National Lab., TN)
,
VISPUTE R D
(Univ. Maryland, MD)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 31 号： 6 ページ： 568-575 発行年： 2002年06月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。