文献
J-GLOBAL ID:200902102334262528
整理番号:93A0535902
気相エピタキシャルGaAs0.6P0.4:Te内の成長導入点欠陥
Grown-in point defects in vapour phase epitaxial GaAs0.6P0.4:Te.
著者 (1件):
KAMINSKI P
(Inst. Electronic Materials Technology, Warszawa, POL)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
8
号:
4
ページ:
538-543
発行年:
1993年04月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)