文献
J-GLOBAL ID:200902102347475245
整理番号:02A0437617
緩和した絶縁体上SiGe層の無転位形成
Dislocation-free formation of relaxed SiGe-on-insulator layers.
著者 (4件):
TEZUKA T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUGIYAMA N
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKAGI S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KAWAKUBO T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
80
号:
19
ページ:
3560-3562
発行年:
2002年05月13日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)