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文献
J-GLOBAL ID：200902102529246870
整理番号：00A0329507
光照射によりn型シリコンに注入された水素の電子トラップの消滅と生成
Annihilation and formation of electron traps in hydrogen-implanted n-type silicon by light illumination.
TOKUDA Y
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
,
ITO A
(Suzuka National Coll. Technol., Suzuka, JPN)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B71 ページ： 1-5 発行年： 2000年02月14日
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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