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文献
J-GLOBAL ID：200902102605979199
整理番号：00A0724749
Czochralski法でDashネッキングがないBドープ無転位Si結晶の成長 B濃度の影響
Dislocation-free B-doped Si crystal growth without Dash necking in Czochralski method: Influence of B concentration.
HUANG X
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
TAISHI T
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
YONENAGA I
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HOSHIKAWA K
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 213 号： 3/4 ページ： 283-287 発行年： 2000年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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