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文献
J-GLOBAL ID：200902102689705749
整理番号：94A0093446
特集 ヘテロエピタキシー機構 サファイア基板上のGaNのヘテロエピタキシー機構
Special Issue on Mechanism of Heteroepitaxy. Mechanism of Heteroepitaxy of GaN Grown on Sapphire Substrate.
平松和政
(名古屋大 工)
,
伊藤茂稔
(名古屋大 工)
,
赤崎勇
(名城大 理工)
,
桑野範之
(九大 大学院 総理工学研究科)
,
白石忠義
(九大 大学院 総理工学研究科)
,
沖憲典
(九大 大学院 総理工学研究科)
資料名：
日本結晶成長学会誌
(Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 20 号： 4 ページ： 346-354 発行年： 1993年
JST資料番号： F0452B ISSN： 0385-6275 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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