文献
J-GLOBAL ID:200902102734971412
整理番号:98A0924973
630-nm帯GaInP-AlGaInP引っ張りひずみ量子井戸レーザの活性領域ドーピングの効果
Effects of Doping in the Active Region of 630-nm Band GaInP-AlGaInP Tensile-Strained Quantum-Well Lasers.
著者 (2件):
YEN S T
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LEE C-P
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
34
号:
9
ページ:
1644-1651
発行年:
1998年09月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)