文献
J-GLOBAL ID:200902102998483220
整理番号:97A0802746
電気化学プロセスによるInP系化合物半導体のショットキー障壁高の制御とその機構
Control of Schottky Barrier Heights on Indium Phosphite-Based Materials by In-Situ Electrochemical Process and Its Mechanism.
著者 (3件):
佐藤威友
(北大)
,
橋詰保
(北大)
,
長谷川英機
(北大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
97
号:
158(ED97 65-74)
ページ:
13-18
発行年:
1997年07月14日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)