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文献
J-GLOBAL ID：200902103029138317
整理番号：01A0053519
均一濃度の打込みSiを含むSiO2膜のアニーリングによって成長させたSiナノ結晶の特性評価
Characterization of Si nanocrystals grown by annealing SiO2 films with uniform concentrations of implanted Si.
GUHA S
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
QADRI S B
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
MUSKET R G
(Lawrence Livermore Lab., California)
,
WALL M A
(Lawrence Livermore Lab., California)
,
SHIMIZU-IWAYAMA T
(Aichi Univ., Aichi, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 88 号： 7 ページ： 3954-3961 発行年： 2000年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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