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文献
J-GLOBAL ID：200902103029646304
整理番号：00A0382677
光照射を用いない等温アニーリングによる非晶質GeSe2半導体の結晶化
Crystallization of Anrorphous GeSe2 Semiconductor by Isothermal Annealing without Light Radiation.
SAKAI K
(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
,
YOSHINO K
(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
,
FUKUYAMA A
(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
,
YOKOYAMA H
(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
,
IKARI T
(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
,
MAEDA K
(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 3A ページ： 1058-1061 発行年： 2000年03月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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