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文献
J-GLOBAL ID：200902103123215074
整理番号：98A0278649
チャープド多重量子障壁を備えた波長573nmの高輝度AlGaInP発光ダイオード
High-Brightness AlGaInP 573-nm Light-Emitting Diode with A Chirped Multiquantum Barrier.
CHANG C S
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SU Y K
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG S J
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG P T
(United Epitaxy Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
WU Y R
(United Epitaxy Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HUANG K H
(United Epitaxy Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHEN T P
(United Epitaxy Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 34 号： 1 ページ： 77-83 発行年： 1998年01月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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