文献
J-GLOBAL ID:200902103192647822
整理番号:00A0339627
フレキシブルなポリイミド基板上のa-Si:H薄膜トランジスタの120°C製造技術
120°C fabrication technology for a-Si:H thin film transistors on flexible polyimide substrates.
著者 (2件):
SAZONOV A
(Univ. Waterloo, Ontario, CAN)
,
NATHAN A
(Univ. Waterloo, Ontario, CAN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
18
号:
2
ページ:
780-782
発行年:
2000年03月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)