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文献
J-GLOBAL ID：200902103216643114
整理番号：93A0975588
ひずみ層GaAs1-yPy-AlGaAsおよびInxGa1-xAs-AlGaAsを持つ量子井戸半導体レーザ
Strained layer GaAs1-yPy-AlGaAs and InxGa1-xAs-AlGaAs quantum well diode lasers.
VAN DER POEL C J
(Philips Optoelectronics Centre, Eindhoven, NLD)
,
AMBROSIUS H P M M
(Philips Optoelectronics Centre, Eindhoven, NLD)
,
LINDERS R W M
(Philips Optoelectronics Centre, Eindhoven, NLD)
,
PEETERS R M L
(Philips Optoelectronics Centre, Eindhoven, NLD)
,
ACKET G A
(Philips Optoelectronics Centre, Eindhoven, NLD)
,
KRIJN M P C M
(Philips Optoelectronics Centre, Eindhoven, NLD)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 63 号： 17 ページ： 2312-2314 発行年： 1993年10月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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