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文献
J-GLOBAL ID：200902103294098238
整理番号：01A0416558
ウエハボンディングと層移動を利用して作製した高性能電界効果トランジスタ用のSiGe-オン-絶縁体
SiGe-on-insulator prepared by wafer bonding and layer transfer for high-performance field-effect transistors.
HUANG L J
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
CHU J O
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
CANAPERI D F
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
D’EMIC C P
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
ANDERSON R M
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
KOESTER S J
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
WONG H-S P
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 78 号： 9 ページ： 1267-1269 発行年： 2001年02月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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