文献
J-GLOBAL ID:200902103313128321
整理番号:99A0213950
Ga2O3(Gd2O3)/GaN金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタへの温度の影響
Effect of temperature on Ga2O3(Gd2O3)/GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
著者 (8件):
REN F
(Univ. Florida, Florida)
,
HONG M
(Bell Lab., New Jersey)
,
CHU S N G
(Bell Lab., New Jersey)
,
MARCUS M A
(Bell Lab., New Jersey)
,
SCHURMAN M J
(EMCORE Inc., New Jersey)
,
BACA A
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
,
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, Florida)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
73
号:
26
ページ:
3893-3895
発行年:
1998年12月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)