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文献
J-GLOBAL ID：200902103338212335
整理番号：01A0872944
高信頼性p型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の原子層堆積した窒化けい素/SiO2積層ゲート誘電体の特性評価
Characterization of atomic-layer-deposited silicon nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
NAKAJIMA A
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
YOSHIMOTO T
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KIDERA T
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
OBATA K
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
YOKOYAMA S
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
SUNAMI H
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
HIROSE M
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 19 号： 4 ページ： 1138-1143 発行年： 2001年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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