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文献
J-GLOBAL ID:200902103383786377   整理番号:00A0196582

分子ビームエピタクシー中の格子極性制御によるGaN膜の結晶品質の本質的な変化

Essential Change in Crystal Qualities of GaN Films by Controlling Lattice Polarity in Molecular Beam Epitaxy.
著者 (8件):
SHEN X-Q
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
IDE T
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
CHO S-H
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
SHIMIZU M
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
HARA S
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
OKUMURA H
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
SONODA S
(Ulvac Japan, Ltd., Kanagawa, JPN)
SHIMIZU S
(Ulvac Japan, Ltd., Kanagawa, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 39  号: 1A/B  ページ: L16-L18  発行年: 2000年01月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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