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文献
J-GLOBAL ID：200902103383786377
整理番号：00A0196582
分子ビームエピタクシー中の格子極性制御によるGaN膜の結晶品質の本質的な変化
Essential Change in Crystal Qualities of GaN Films by Controlling Lattice Polarity in Molecular Beam Epitaxy.
SHEN X-Q
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
,
IDE T
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
,
CHO S-H
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU M
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
,
HARA S
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN)
,
SONODA S
(Ulvac Japan, Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SHIMIZU S
(Ulvac Japan, Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 1A/B ページ： L16-L18 発行年： 2000年01月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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