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文献
J-GLOBAL ID：200902103441782204
整理番号：02A0889917
原子間力顕微鏡で測定したSiO2超薄膜の破壊誘起負電荷
Breakdown-induced negative charge in ultrathin SiO2 films measured by atomic force microscopy.
PORTI M
(Univ. Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP)
,
NAFRIA M
(Univ. Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP)
,
BLUEM M C
(Univ. Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP)
,
AYMERICH X
(Univ. Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP)
,
SADEWASSER S
(Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 19 ページ： 3615-3617 発行年： 2002年11月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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