文献
J-GLOBAL ID:200902103504538589
整理番号:93A0886255
低電圧不揮発性メモリ用誘電体薄膜技術
A ferroelectric thin film technology for low-voltage nonvolatile memory.
著者 (5件):
MOAZZAMI R
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
MANIAR P D
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
JONES R E JR
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
CAMPBELL A C
(Motorola, Inc., Texas, USA)
,
MOGAB C J
(Motorola, Inc., Texas, USA)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
1993
ページ:
87-88
発行年:
1993年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)