文献
J-GLOBAL ID:200902103571574344
整理番号:93A0565029
CaF2/Si(100)およびCaF2/Si/CaF2/Si(100)ヘテロ系におけるエピタクシャル層と界面の高分解電子顕微鏡観察
High-resolution electron microscopy of epitaxial layers and interfaces in the CaF2/Si(100) and CaF2/Si/CaF2/Si(100) heterosystems.
著者 (3件):
KISELEV A N
(Inst. Crystallography, Russian Academy of Sciences, Moscow, SUN)
,
VELICHKO A A
(Inst. Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
,
OKOMELCHENKO I A
(Inst. Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
129
号:
1/2
ページ:
163-172
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)