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文献
J-GLOBAL ID：200902103749610439
整理番号：93A0304355
ECRおよびヘリコン波プラズマエッチングによりSi表面上にできた損傷
Damage formed on Si surface by ECR and helicon wave plasma etchings.
HAYASHI J
(Hosei Univ., Tokyo)
,
KAWAGUCHI K
(Hosei Univ., Tokyo)
,
HARA T
(Hosei Univ., Tokyo)
,
MASHIRO S
(Anelva Corp., Tokyo)
,
MASHIMO K
(Anelva Corp., Tokyo)
,
TSUKADA T
(Anelva Corp., Tokyo)
資料名：
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 11 ページ： 183-188 発行年： 1993年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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