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文献
J-GLOBAL ID：200902103794999002
整理番号：93A0519503
Annealing behaviour of In impurities in SiC after ion implantation.
MEIER J
(Univ. Erlangen-Nuernberg, DEU)
,
ACHTZIGER N
(Univ. Erlangen-Nuernberg, DEU)
,
LICHT T
(Univ. Erlangen-Nuernberg, DEU)
,
UHRMACHER M
(Univ. Goettingen, DEU)
,
WITTHUHN W
(Univ. Erlangen-Nuernberg, DEU)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 185 号： 1/4 ページ： 207-210 発行年： 1993年04月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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