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文献
J-GLOBAL ID：200902103831288545
整理番号：93A0682729
絶縁膜上シリコンウエハについての寿命測定
Lifetime measurements on silicon-on-insulator wafers.
FREEOUF J L
(IBM Research Division, New York)
,
BRASLAU N
(IBM Research Division, New York)
,
WITTMER M
(IBM Research Division, New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 63 号： 2 ページ： 189-190 発行年： 1993年07月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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