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文献
J-GLOBAL ID：200902103900045013
整理番号：01A0279294
高圧下でのバルクGaN結晶の圧力制御された融液成長
Pressure-Controlled Solution Growth of Bulk GaN Crystals under High Pressure.
INOUE T
(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)
,
SEKI Y
(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)
,
ODA O
(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)
,
KURAI S
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
YAMADA Y
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
TAGUCHI T
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 223 号： 1 ページ： 15-27 発行年： 2001年01月01日
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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