文献
J-GLOBAL ID:200902103922389549
整理番号:94A0634279
InGaNとInAlNのドライパターン形成
Dry patterning of InGaN and InAlN.
著者 (3件):
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
,
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, Florida)
,
REN F
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
64
号:
26
ページ:
3643-3645
発行年:
1994年06月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)